近日，普冉半導體推出創(chuàng)新的P24C系列高可靠EEPROM產品，應下游客戶及市場需求，公司該新款系列產品可達到1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發(fā)的超群產品，達到目前行業(yè)領先的擦寫次數。
P24C系列產品基于95nm及以下工藝，具備低功耗、超寬壓覆蓋、高可靠等特性，滿足擦寫壽命1000萬次，數據保存100年的高可靠性要求，產品性能達到業(yè)界領先水平，可用于電表及其他高可靠性產品領域。
P24C系列產品的特點：
● 存儲器容量：512Kbit~1Mbit
● 工作電壓范圍：1.7V~5.5V
● 工作溫度范圍：-40℃~125℃
● 擦寫功能帶糾錯碼（ECC）
● 擦寫壽命：1000萬次
● 數據保存年限：100年
● 封裝支持：PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5
EEPROM是一種通用型非易失性存儲芯片，由于其低功耗、高靈活性、強可靠性等特點，被廣泛應用于存儲小規(guī)模、經常需要修改的數據存儲，應用于智能手機、服務器、PC、BLE/WIFI模塊、汽車電子、面板、家電、工控等下游領域。
普冉半導體在EEPROM領域，已深耕近十年。2014年，公司前身無錫普雅半導體完成首顆256Kbit、512Kbit EEPROM的研發(fā)和流片。2021年，公司車規(guī)級EEPROM獲得AEC-Q100認證，進入海內外知名車廠。截至目前，公司EEPROM產品已經做到2Kbit-4Mbit的全容量覆蓋，操作電壓覆蓋1.2V-5.5V，同時支持SOP/TSSOP/DFN等傳統封裝及WLCSP等芯片級封裝形式，能夠滿足不同應用領域對容量和封裝的需求。
公司在EEPROM領域已經形成比較完整的系列產品布局，并持續(xù)在工藝制程和存儲單元等維度實現技術迭代，提升產品的性價比和市場競爭力。
工藝制程方面，公司持續(xù)針對存儲單元的結構、擦寫電壓進行改造和優(yōu)化，在不犧牲可靠性指標的前提下，不斷縮小存儲單元的尺寸，單顆芯片具備更高的性價比。公司已從第一代130nm產品迭代到新一代的95nm及以下產品，并于2020年實現量產。
產品功能方面，普冉半導體實現了分區(qū)域保護、地址編程等功能，可對芯片中的存儲的參數數據進行保護，避免數據丟失和篡改，數據保持時間超過100年。
公司擁有超大容量的EEPROM系列產品，支持SPI/I2C接口和最大4Mbit容量，其中2Mbit產品批量用于高速寬帶通信和數據中心。同時，公司推出的超低電壓1.2V系列EEPROM已實現量產出貨，涵蓋32Kbit至512Kbit，是目前行業(yè)內工藝節(jié)點領先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產品線。
相比上一代500萬次擦寫的產品，普冉半導體本次推出的新產品可以更靈活的更新修改，同時具備更長的使用壽命，也一定程度體現了公司在工藝和設計水平上的持續(xù)突破。
公司未來將在非易失存儲器領域以新工藝節(jié)點、寬電壓覆蓋、高速、高可靠等性能為發(fā)展方向，以高可靠工控和車規(guī)為持續(xù)的重點拓展方向，進一步擴展系統級存儲器產品線，不斷獲得突破和領先優(yōu)勢。
